第一完成单位：上海微系统与信息技术研究所
获奖奖种：国家科技进步奖
获奖时间：2006
获奖等级：1 
内容简介：
　　 绝缘体上硅（SOI）技术被国际上公认为"二十一世纪的硅集成电路技术"，在低压、低功耗电路、耐高温电路、微机械传感器、光电集成等方面具有重要应用，是微电子和光电子领域发展的前沿。同时，SOI技术具有抗辐射独特优越性，是微电子敏感核心技术，西方国家对我国严密封锁和禁运。该项目从国家的需求出发，在863，973等重大研究计划的支持下，历经二十余年的努力，从SOI研发一直到成功实现产业化。项目申请国家发明专利32项（已授权16项），拥有SOI核心自主知识产权，并形成我国首部SOI技术企业标准。
　　 该项目在关键技术上取得一系列重大创新：突破了离子注入、高温退火等SOI材料制备成套的关键技术，自主开发了低成本、高质量的超低剂量离子注入SOI技术；在国际上独创了将键合和注氧隔离技术相结合的注氧键合（Simbond）SOI新技术，极大提高了SOI材料的厚度均匀性；创造性的对常规SOI材料进行改性，使SOI材料抗总剂量加固水平跃上了新的台阶等。
　　  该项目具有重大的社会和经济效益：它打破了国外的技术封锁，建成了我国唯一的SOI材料生产线，生产的SOI材料系列产品性能指标达到或优于国际SEMI标准，从根本上解决了我国SOI材料"有无"问题，为大幅度提高我国微电子器件的综合性能作出了重大贡献。同时，产品被英特尔、飞利浦等国际顶级半导体公司所采用，具有明显的国际市场竞争优势，在短时间内跻身国际高端硅基材料市场，实现了我国微电子材料的跨跃式发展。